サンスイAU-999

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　\86,000
ミュージックパーワー（ＩＨＦ）　１８０Ｗ（４オーム）　　　　　
実行出力　　　　　　　　　　　　７０ｗ　＋　７０ｗ（４オーム）
ＴＨＤ　　　　　　　　　　　　　　　０．４％以下
パワーバンドウィズ　（ＩＨＦ）　１０〜３０，０００Ｈz（８オーム）　　　　　
周波数特性　　　　　　　　　　　５〜１0,000Hz±1dB　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
ＳＮ比　（ＩＨＦ）　　　　　　　　　１００　　dB　以上　　
ダンピングファクター　　　　　　４５（８Ω）
４１シリコンＴＲ　　８ダイオード
外形寸法　　　　　　　　　W4６１．５　×H1５５　×　D3１６　ｍｍ　
重量　　　　　　　　　　　　　　　１７kg

ＴＵ−９９９

フロントエンドには、３本のデュアルゲートＭＯＳ型ＦＥＴを使用。

ＩＦ部は、３個のＩＣとクリスタル及びブロックフィルターの組み合わせ。

AU-999

メイン部には＋−電源と２段作動増幅回路による全段直結
方式を採用し、実際にスピーカーを負荷にした時の特性向上に努めました。
その結果として、ＩＭ歪、低域のダンピングが飛躍的に向上。
ＴＲアンプにありがちな特性は良いが、音はそれ程でもないという現象を解消しました。